Heißdraht-CVD-Prozesse für Silizium-Heterostruktursolarzellen
Advances in surface engineering and sustainable production / Fortschritte in Oberflächentechnik und nachhaltiger Produktion, Band 3
Madeleine Justianto
Hrsg.: Fraunhofer IST, Braunschweig
2025, 101 S., zahlr. Abb. u. Tab., Softcover
Braunschweig, TU, Diss., 2025
Fraunhofer Verlag
ISBN 978-3-8396-2108-0

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Inhalt
Silizium-Heterostruktursolarzellen (SHJ-Zellen) gehören zu den hocheffizienten Solarzellen und erzielen unter den siliziumbasierten Solarzellen bis dato die höchsten Zelleffizienzen auf dem Markt. Bei der Herstellung der SHJ-Zellen hat sich die plasmaunterstützte CVD zur Herstellung der Silizium-Schichten etabliert, welche diese bereits bei Temperaturen um 200 °C abscheidet. Als Alternative wird in dieser Arbeit die Heißdraht-CVD (HWCVD) zur Silizium-Abscheidung untersucht, da hier die Schichten in Abwesenheit von hochenergetischen Teilchen wachsen, weshalb die Bildung von defektarmen Schichten begünstigt wird.

Die Silizium-Schichten wurden mittels HWCVD als Einzelschichten hergestellt und anschließend charakterisiert. Im Anschluss wurden die Schichten kombiniert und die wichtigsten Parameter für die SHJ-Zelle bestimmt. Die Schichtherstellung über die HWCVD wurde über zwei Beschichtungsabläufe durchgeführt und deren Vor- und Nachteile ermittelt. In dieser Arbeit wurden mit Hilfe der HWCVD SHJ-Zellen hergestellt, welche Zellwirkungsgrade von 18,9 % auf 244 cm² und 19,8 % auf einer kantenisolierten Zellfläche von 207 cm².

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