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Fraunhofer IISB (6):
Treffer: 1 bis 6
Innovative Technologien für intelligente dezentrale Energiesysteme
Hrsg.: Martin März, Richard Öchsner
2019, 273 S., zahlr., meist farb. Abb. u. Tab., Hardcover
Fraunhofer Verlag
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Hrsg.: Martin März, Richard Öchsner
2019, 273 S., zahlr., meist farb. Abb. u. Tab., Hardcover
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Ludwig Stockmeier
Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method
Hrsg.: Fraunhofer IISB, Erlangen
2018, 204 S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
Fraunhofer Verlag
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Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method
Hrsg.: Fraunhofer IISB, Erlangen
2018, 204 S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
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Tobias Erlbacher
Lateral Power Transistors in Integrated Circuits
2016, xix, 223 S., 157 SW-Abb. 235 mm, Softcover
Springer
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Lateral Power Transistors in Integrated Circuits
2016, xix, 223 S., 157 SW-Abb. 235 mm, Softcover
Springer
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Veronika Schneider
Nitridgebundenes Siliziumnitrid: Wiederverwendbare Tiegel für die gerichtete Erstarrung von Silizium
Hrsg.: Fraunhofer IISB, Erlangen
2015, 166 S., zahlr. Abb. u. Tab., Softcover
Fraunhofer Verlag
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Nitridgebundenes Siliziumnitrid: Wiederverwendbare Tiegel für die gerichtete Erstarrung von Silizium
Hrsg.: Fraunhofer IISB, Erlangen
2015, 166 S., zahlr. Abb. u. Tab., Softcover
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Maral Azizi
Eisenverunreinigungen in multikristallinem Silizium: Gerichtete Erstarrung und Analyse der strukturellen und elektrischen Eigenschaften
Hrsg.: Fraunhofer IISB, Erlangen
2014, 202 S., zahlr., z.T. farb. Abb. u. Tab., Softcover
Fraunhofer Verlag
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Eisenverunreinigungen in multikristallinem Silizium: Gerichtete Erstarrung und Analyse der strukturellen und elektrischen Eigenschaften
Hrsg.: Fraunhofer IISB, Erlangen
2014, 202 S., zahlr., z.T. farb. Abb. u. Tab., Softcover
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P. Pichler
Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon
Computational Microelectronics
2004, XXI, 554 p. S., 40 SW-Abb. 254 mm, Hardcover
Springer, Wien
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Computational Microelectronics
2004, XXI, 554 p. S., 40 SW-Abb. 254 mm, Hardcover
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