Fraunhofer IAF (52):

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Lars Watschke
AlGaN-basierte Avalanche-Photodioden für den UV-C Spektralbereich
Science for systems, Band 44
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2019, 171  S., zahlr., meist farb. Abb. u. Tab., Softcover
Fraunhofer Verlag

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Andreas Wörl
Analyse der Rauschmechanismen von Photodetektoren aus InAs/GaSb-Übergittern für den infraroten Spektralbereich
Science for systems, Band 43
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2019, 119  S., zahlr., meist farb. Abb. u. Tab., Softcover
Fraunhofer Verlag

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Johannes Schmidt
Antimonidische Übergitter Infrarot-Photodioden mit reduziertem Dunkelstrom
Science for systems, Band 42
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2019, 130  S., zahlr., meist farb. Abb. u. Tab., Softcover
Fraunhofer Verlag

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Marius David Knapp
Graphene - from Synthesis to the Application as a Virtually Massless Electrode Material for Bulk Acoustic Wave Resonators
Science for systems, Band 41
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2019, 150  S., num. illus. and tab., Softcover
Fraunhofer Verlag

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Lorenz Butschek
Modenverhalten von Quantenkaskadenlasern in miniaturisierten externen Resonatoren.
Science for systems, Band 40
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2019, 144  S., zahlr. Abb. u. Tab., Softcover
Fraunhofer Verlag

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Björn Tegetmeyer
Luminescence Properties of SiV-centers in diamond diodes
Science for systems, Band 38
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2019, 110  S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
Fraunhofer Verlag

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Beatrix Weiß
Fast-Switching Monolithically Integrated High-Voltage GaN-on-Si Power Converters
Science for systems, Band 37
Hrsg.: Fraunhofer IAF, Freiburg
2019, 181  S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
Fraunhofer Verlag

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Ana Belén Amado Rey
Analysis, design and experimental evaluation of sub-THz power amplifiers based on GaAs metamorphic HEMT technology
Science for systems, Band 39
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2018, 184  S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
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Birte-Julia Godejohann
GaN-based High Electron Mobility Transistors with high Al-content barriers
Science for systems, Band 36
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2018, 156  S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
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Erdin Ture
GaN-Based Tri-Gate High Electron Mobility Transistors
Science for systems, Band 35
Hrsg.: Fraunhofer IAF, Freiburg
2018, 169  S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
Fraunhofer Verlag

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