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Ludwig Stockmeier
Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method
Hrsg.: Fraunhofer IISB, Erlangen
2018, 204  S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
Fraunhofer Verlag

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P. Pichler
Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon
Computational Microelectronics
2004, XXI, 554 p.  S., 40 SW-Abb. 254 mm, Hardcover
Springer, Wien

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