Epitaxie und Charakterisierung von AlGaN-basierten UV-Photodetektoren
Science for Systems, Band 28
Björn Albrecht
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2017, 126 S., zahlr., meist farb. Abb. u. Tab., Softcover
Freiburg/Brsg, Univ., Diss. 2016
Fraunhofer Verlag
ISBN 978-3-8396-1111-1

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Inhalt
AlGaN-Photodetektoren bieten erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Si-basierten Photodetektoren hinsichtlich der Zuverlässigkeit und der elektrooptischen Leistungseigenschaften. Schwerpunkt dieser Dissertation ist daher die metallorganische Gasphasenepitaxie und die Charakterisierung der AlGaN-Schichten zur Prozessierung von p-i-n-Photodioden für die Messung von UV-Strahlung.

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Fraunhofer IAF, electronic devices & materials, optical physics, applied physics, UV-Photodetektoren, Gasphasenepitaxie, Forschungsingenieure,

 

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