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Lock-in Thermography
Basics and Use for Evaluating Electronic Devices and Materials
3., Aufl.
2019, xxi, 321   S., 58 SW-Abb., 68 Farbabb. 235 mm, Hardcover
Springer, Berlin

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Birte-Julia Godejohann
GaN-based High Electron Mobility Transistors with high Al-content barriers
Science for systems, Band 36
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2018, 156  S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
Fraunhofer Verlag

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