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Birte-Julia Godejohann
GaN-based High Electron Mobility Transistors with high Al-content barriers
Science for systems, Band 36
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2018, 156  S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
Fraunhofer Verlag

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Erdin Ture
GaN-Based Tri-Gate High Electron Mobility Transistors
Science for systems, Band 35
Hrsg.: Fraunhofer IAF, Freiburg
2018, 169  S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
Fraunhofer Verlag

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