Bücher, CDs, Broschüren (23):

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Christian Manz
Darstellung und Simulation von AlN/GaN-Übergitterstrukturen für elektronische Bauelemente
Science for systems, Band 46
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2020, 108  S., zahlr., meist farb. Abb. u. Tab., Softcover
Fraunhofer Verlag

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Thomas Gerrer
Transfer von AlGaN/GaN-Hochleistungstransistoren auf Diamant
Science for systems, Band 45
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2020, 166  S., zahlr., meist farb. Abb. u. Tab., Softcover
Fraunhofer Verlag

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Beatrix Weiß
Fast-Switching Monolithically Integrated High-Voltage GaN-on-Si Power Converters
Science for systems, Band 37
Hrsg.: Fraunhofer IAF, Freiburg
2019, 181  S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
Fraunhofer Verlag

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Ana Belén Amado Rey
Analysis, design and experimental evaluation of sub-THz power amplifiers based on GaAs metamorphic HEMT technology
Science for systems, Band 39
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2018, 184  S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
Fraunhofer Verlag

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Birte-Julia Godejohann
GaN-based High Electron Mobility Transistors with high Al-content barriers
Science for systems, Band 36
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2018, 156  S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
Fraunhofer Verlag

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Erdin Ture
GaN-Based Tri-Gate High Electron Mobility Transistors
Science for systems, Band 35
Hrsg.: Fraunhofer IAF, Freiburg
2018, 169  S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
Fraunhofer Verlag

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Matthias Wespel
The role of charge trapping in AlGaN/GaN-on-Si HEMT based power switches
Science for systems, Band 32
Hrsg.: Joachim Wagner; Fraunhofer IAF
2017, 185  S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
Fraunhofer Verlag

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Matthias Ohlrogge
Charakterisierung und Modellierung von metamorphen HEMT Strukturen im Millimeter- und Submillimeter-Wellenlängenbereich
Science for Systems, Band 24
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer-Institut für angewandte Festkörperphysik IAF, Freiburg
2016, 214  S., Softcover
Fraunhofer Verlag

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Dirk Schwantuschke
Modeling of Dispersive Millimeter-Wave GaN HEMT Devices for High Power Amplifier Design
Science for systems, Band 23
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2016, ca. 200  S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
Fraunhofer Verlag

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Tobias Erlbacher
Lateral Power Transistors in Integrated Circuits
Softcover reprint of the original 1st ed. 2014
2016, xix, 223   S., 157 SW-Abb. 235 mm, Softcover
Springer, Berlin

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